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    首頁 > 應(yīng)用與解決方案 > 電子電器
  • 氮化硅中氟、氯的測定

    氮化硅中氟、氯的測定

    電子級的氮化硅薄膜是通過化學(xué)氣相沉淀或者等離子體增強化學(xué)氣相沉淀技術(shù)制造,而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會對相關(guān)接觸部件造成嚴(yán)重腐蝕,所以對氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準(zhǔn)確測定具有重要意義。

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  • 碳化硅中陰陽離子的測定

    碳化硅中陰陽離子的測定

    碳化硅(SiC)又名金剛砂,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體。

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  • 氧化硅粉末中陰離子的測定

    氧化硅粉末中陰離子的測定

    二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件,是光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料,是科學(xué)研究的重要材料。

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  • 光刻材料中陰離子的測定

    光刻材料中陰離子的測定

    光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上,為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準(zhǔn)備。

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  • 聚酰亞胺中氯離子和鈉離子的測定

    聚酰亞胺中氯離子和鈉離子的測定

    聚酰亞胺中氯離子和鈉離子的測定

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  • 蝕刻液中陰離子的測定

    蝕刻液中陰離子的測定

    在集成電路制造過程中,常需要在晶圓上定義出極細(xì)微尺寸的圖案,這些圖案主要的形成方式是藉由蝕刻技術(shù),將微影后產(chǎn)生的光阻圖案忠實的轉(zhuǎn)印至光阻下的材質(zhì)上,以形成集成電路的復(fù)雜架構(gòu)。

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  • N-甲基吡咯烷酮中陰離子的測定

    N-甲基吡咯烷酮中陰離子的測定

    N-甲基吡咯烷酮,簡稱 NMP,無色透明油狀液體,微有胺的氣味。能與水、醇、醚、酯、酮、鹵代烴、芳烴互溶。揮發(fā)度低,熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性均佳,能隨水蒸氣揮發(fā),有吸濕性,對光敏感。

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  • 電池級碳酸鋰中氟離子的測定

    電池級碳酸鋰中氟離子的測定

    電池級微粉碳酸鋰系白色粉末,微溶于水,易溶于酸,是生產(chǎn)鋰電池的關(guān)鍵原料。主要用于電池行業(yè)制造鈷酸鋰、鎳酸鋰、磷酸鐵鋰、錳酸鋰等離子電池正極材料,也可用于充電鋰離子電池電解質(zhì)添加劑。

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  • 氫氧化鎳、碳酸鎳和氫氧化鎳鈷 中陰離子的測定

    氫氧化鎳、碳酸鎳和氫氧化鎳鈷 中陰離子的測定

    氫 氧 化 鎳 是 鎳 基 電 池(Ni-MH、NiCd、Ni-Fe、Ni-Zn)的正極活性物質(zhì),碳酸鎳、氫氧化鎳鈷分別是鋰電池正極材料碳酸鎳錳和鎳鈷酸鋰的合成原料。

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  • 硫酸錳中陰離子的測定

    硫酸錳中陰離子的測定

    硫酸錳,易溶于水,不溶于乙醇,常以多種水合物的形式存在。硫酸錳是合成錳系正極材料的原料,還被廣泛應(yīng)用于電解錳、染料、造紙以及陶瓷等工業(yè)生產(chǎn)中。

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  • 錳酸鋰中氟離子的測定

    錳酸鋰中氟離子的測定

    錳酸鋰中氟離子的測定

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  • 氫氧化鎳鈷錳中硫酸根離子的測定

    氫氧化鎳鈷錳中硫酸根離子的測定

    氫氧化鎳鈷錳是制備鋰離子二次電池正極材料——鎳鈷錳酸鋰的前軀體。它通過在純凈的鎳、鈷、錳的溶液中配入適當(dāng)?shù)牧蛩徨i、硫酸鎳或硫酸鈷,調(diào)整溶液中鎳、鈷、錳元素摩爾比1:1:1,再加入液堿調(diào)節(jié) pH值得到鎳鈷錳氫氧化物。

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